R2R ALD
R2R ALD 原理
(R2R ALD)是為了解決傳統原子層沉積(ALD)的低沉降速度問題而開發的設備,專門用來加工卷材,傳統的批次式原子層沉積設備,每次只能放入單一一片基板,依次循環通入通入反應氣體,雖然具備絕佳的膜厚精準控制能力以及優良的品質,但每個循環時間長達數分鐘至數十分鐘,這使得原子層沉積的應用範圍一直無法普及,直至本公司成功的開發了R2R ALD系統得以完美的解決困擾業界已久的問題。
R2R ALD 基本特徵
由於ALD是由表面反應機制來成長薄膜,因此並不會有氣相中的複雜反應,所以,反應是由前驅物(pre-cursor)以及共反應物所決定,藉此,可以得到高純度的組成。另外一個特點是在控制合宜的條件下,氣體可以擴散並吸附在不平整表面的工件上,甚至是多孔性材質。以上的兩點特徵理應帶給了ALD 極大的應用潛力,卻受制於緩慢而令人無法接受的鍍膜速率。
R2R ALD 特性
R2R ALD是為了解決上述傳統ALD的問題而誕生的全新科技,我們最新的氣體分配系統搭配特別優化過的卷對卷張力控制系統,使我們可以從金屬箔材到塑膠膜都可以在同一設備實施連續式的加工,具有極高的成膜速率與ALD既有的成膜品質。